Günümüz bellek kapasitelerini 10’a katlayan 3D X-DRAM bellek

Yüksek kapasite, yüksek hız ve yüksek verim

NEO Semiconductor’ın simülasyon verilerine göre yeni nesil hücreler, tek bir modülde 512 Gb yani 64 GB kapasiteye ulaşabiliyor. Bu, piyasada yaygın olarak kullanılan DRAM çözümlerinin çok üzerinde bir değer. Ayrıca, 10 nanosaniye okuma/yazma hızı ve 9 dakikayı aşan veri tutma süresiyle performans konusunda da oldukça iddialı.

Ayrıca Bkz.Seagate, 2030’a kadar 100 terabaytlık hard disk geliştirecek

Yeni 3D X-DRAM tasarımları, bu ay düzenlenecek olan IEEE IMWetkinliğinde daha kapsamlı şekilde tanıtılacak. Ancak sektörde yalnızca NEO yok. FeRAM tabanlı DRAM+ gibi alternatif teknolojiler de yarışa dahil olurken, SK hynix gibi köklü üreticiler klasik DRAM’in sınırlarını genişletmeye devam ediyor. Yine de 512 Gb'lik modüller, dikkatleri NEO Semiconductor’ın üzerine çekiyor.

Gözler şimdi NEO’nun 2026 yılında üretilecek olan test yongalarında. Şirketin yol haritasına göre 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor.