HBM4 öncesi büyük adım: SK hynix'ten altı katmanlı 1c DRAM geliyor

1c DRAM'de yeni standart

Kaçıranlar için EUV litografi, 13,5 nm dalga boyunda çalışarak karmaşık devre yapılarında daha ince özelliklerin daha az çoklu desenleme adımıyla üretilmesine imkân tanıyor. Geleneksel DRAM üretiminde EUV ve DUV katmanları bir arada kullanılırken, SK hynix'in 1c DRAM'de tümüyle 6 EUV katmanına geçmesi sektörde yeni bir standart konumunda.

Şirket, 1c DRAM'i henüz tüketici tarafındaki bellek çözümlerinde kullanmasa da DDR5 için daha yüksek kapasite seçeneklerini araştırıyor. Ayrıca bu adım, gelecekteki 1d ve 0a DRAM teknolojilerinde EUV'nin temel bir bileşen hâline gelmesini sağlayacak. SK hynix, bu süreçte High-NA EUV entegrasyonu üzerine de çalışıyor.

Ayrıca Bkz.Samsung, ABD’ye milyarlarca dolar daha yatırım yapmayı planlıyor

Aslına bakacak olursak, EUV entegrasyonu sayesinde daha yoğun, hızlı ve enerji verimliliği yüksek DDR5 modüller ile yüksek kapasiteli HBM yığınlarının üretilmesi mümkün olacak. 1c DRAM'in HBM4 ile birlikte pazara güçlü bir giriş yapması beklenirken, performans tarafında da kayda değer bir artış yaşanabilir. Ayrıca bu hamle, özellikle Samsung’un 1c DRAM planlarına karşı rekabette önemli bir avantaj sunmuş olacak.