Samsung, yüksek performanslı 236 katmanlı yeni nesil V-NAND bellek üretimine hazırlanıyor

Samsung, katı hal depolama cihazları için daha yüksek performans ve daha fazla kapasite vadeden 8. nesil V-NAND belleklerin seri üretimine başlamaya hazırlanıyor. Samsung, 2013 yılında 24 katmanlı V-NAND bellekleri sayesinde rakiplerinin çok önündeydi fakat daha fazla katman oluşturmanın zorlaşmasıyla rakipleri tarafından yakalanmış durumda.

Yıl içerisinde Micron ve SK Hynix, kendi NAND teknolojilerini geliştirdiklerini duyurdular. Micron tarafından gelen 232 katmanlı çözümü Sk Hynix 238 katmanlı TLC NAND belleklerle cevapladı. Samsung tarafında ise cevap fazla gecikmedi: firma 236 katmanlı 8. nesil 3D V-NAND belleklerin seri üretimi için yolun sonuna geldi.

Daha yüksek hız ve depolama sunacak

Masaüstü ve dizüstüler için yeni nesil PCIe Gen 5 arabirimi ile rekabetçi depolama çözümleri sunmak isteyen Samsung, aynı zamanda mobil tarafta UFS 4.0 ve UFS 3.1 teknolojileri için yeni nesil bellekler üretmek istiyor. Halihazırda bulunan 7. Nesil V-NAND bellekler 2/GT/s’ye kadar hızlar sunabiliyor fakat şimdilik 8. Nesil V-NAND belleklerin hızları konusunda bir bilgi elimizde yok. Fakat Samsung, genel olarak daha fazla hız, daha fazla depolama ve daha enerji verimliliği sunmak istiyor.

Ayrıca Bkz.ABD'li çip üreticisi Micron, 40 milyar dolarlık yeni yatırımını duyurdu

Statista'ya göre, Koreli teknoloji devi, 2022'nin ilk çeyreğinde NAND flash pazarında %35,3 paya sahip. Samsung, kendisini %18,9 pazar payıyla takip eden ikinci sıradaki NAND bellek üreticisi Kioxia'ya bu alanda önemli bir fark atmış durumda.