Üye Girişi
Bağlan Google+ ile Bağlan Facebook ile Bağlan
Yeni Kayıt
Tüm Forumlar
  • Tüm Forumlar
  • Donanım / Hardware
  • Anasayfa Haberleri
  • Bu Konuda
Şimdi Ara

IBM ve Micron tarafından geliştirilen 3D DRAM bellekler 128Gbps bantgenişliğine imkan tanıyor

Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar
Editörün Seçtiği Fırsatlar
Daha Fazla
Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az
1 Misafir - 1 Masaüstü
5 sn
9
Cevap
0
Favori
2.776
Tıklama
Daha Fazla
İstatistik
  • Konu İstatistikleri Yükleniyor
Konuya Özel
0 oy
Öne Çıkar
Cevapla
Sayfa: 1
Giriş
Mesaj
  • IBM ve Micron tarafından geliştirilen 3D DRAM bellekler 128Gbps bantgenişliğine imkan tanıyor






    Teknolojik cihazların boyutları küçüldükçe donanım parçalarının fabrikasyon mimarisinin de küçülmesi gerekiyor. Donanım mühendisleri yanlara doğru büyüyen parçalar yerine yukarı doğru büyüyen parçalar üreterek hem küçük hem de yüksek performanslı bileşenler elde etmeye uğraşıyor. Intel'in gelecek yıl kullanmaya başlayacağı 3D transistörler buna bir örnek.




    IBM de Eylül ayında 3M firmasıyla biraraya gelerek 300 katmana kadar yarıiletkenleri silikon kulesi şeklinde sıralayabilecek bir yapıştırıcı geliştirmeye başlamıştı.




    Bu hafta yapılan IEEE toplantısında ise Subu Iyer, IBM ve Micron firmaları tarafından üretim devrimi olarak adlandırılan dikey elektriksel bağlantı - TSV kullanan bireysel DRAM çiplerinin tanıtımını yaptı.




    Yeni çipler Hybrid Memory Cubes olarak adlandırılıyor. Bant genişliği ve verimlilikleri şimdiki donanımların çok çok önünde gidiyor. Prototip HBC bellekleri 128Gbps bant genişliği sunuyor. Şimdiki donanımlar ise 2.8Gbps hızlara imkan veriyor. Kapladığı alan standart belleklerin yüzde 10'u kadar. Enerji tüketiminde yüzde 70 daha tasarruflu. 




    Yeni HMC belleklerin üretimi iki aşamada yapılacak. İlk aşamada IBM, ABD'deki fabrikasında 32nm fabrikasyon süreciyle yüksek dielektrik sabitli(high-K) metal kapı teknolojisi kullanarak HMC bellekleri üretecek. Bellekler daha sonra Micron'un Idaho'daki fabrikasında bellek modülleri ve TSV ile birleştirilecek. 




    Iyer toplantıda teknolojilerinin 3D yarıiletken üretiminde geçişte bir dönüm noktası olduğunu ve bir kaç yıl sonra 3D yonga teknolojisinin tüketici ürünlerine kadar gireceğini belirtti. Böylece batarya ömrü ve fonksiyonellik açısından mükemmel gelişmeler yaşanacağını sözlerine ekledi.




    3 boyutlu HMC bellekleri en erken 2013 ikinci yarısından itibaren satışa başlayacak. Intel'in Tri-Gate 3 boyutlu transistör çalışmaları da 2012 ilk yarısında seri üretime başlayacak. Böylece boyut açısından çok daha küçük aygıtlar şu anki cihazlardan kat kat fazla performans gösterebilecek.

     

     







  • Eğer tutarsa gerçekten çığır açar.Ama diğer bileşenlerde de kullanılması lazım.Uzun vadede büyük performas vaad ediyor.
  • son kullanıcılara ulaşması
    en iyi ihtimalle bi 10 yıl alır !
    zaten son kullanıcı oyun için kullanıyor !
  • İşte şimdi işlemcilerinde katlayarak hızlanması gerekecek,

    128Gbps bant hızı demek, aynı özellikte üretilmiş iki diskte yaklaşık 13 gb lık bir veriyi 1 saniyede taşınması demek

    Bu yenilik ssd lerin hızına hız katacak.
  • vay be
  • Bu ram se bizimkisi ne ?
  • Orda 128Gbps yazıyor demi.
  • Ekrem yayınladığın ve okuduğum en ilgimi çeken ve beğendiğim haberin bu oldu.. Keşke her yazın (dikkat haber demiyorum :) böyle olsa.. hatta ilk başta fx57nin haberi zannettim ama değilmiş.. genelde seni apple ile yada chrome ile ilgili haberlerde gördüğümüz için bu tarz donanımlar senin alanına girmiyor diye biliyorduk.. Neyse bu yazı hoşuma gitti.

    Haberde bahsi geçen gelişme çok çok ciddi bir gelişme. işlemcilerden sonra belleklerde 3D yapısına geçiyor ki getirisi çok fazla olan bir gelişme. tek umduğum şey en kısa zamanda kullanabileceğimiz bir teknoloji olması ve çabuk yaygınlaşması..
    • 
Sayfa: 1

Benzer içerikler

- x
Bildirim
mesajınız kopyalandı (ctrl+v) yapıştırmak istediğiniz yere yapıştırabilirsiniz.
Hizmet kalitesi için çerezleri kullanabiliriz. DH’ye girerek kullanım izni vermiş sayılırsınız.
Anladım Veri Politikamız