Samsung yeni nesil mobil cihazlar için yüksek bant genişliğine sahip bellek geliştirdi

Mobil Dünya Kongresi'nde tanıttığı Galaxy S II ve Galaxy Tab II gibi yeni nesil cihazlarıyla dikkatleri üzerine çeken Samsung, yüksek bant genişliğine sahip mobil bellek geliştirdiğini duyurdu. Güney Koreli firmadan yapılan açıklamaya göre, I/O 1Gb (128MB) mobil DRAM yongasıi, 12.8GB/saniye bant genişliği sunuyor.

Bant genişliği 1.6GB/saniye olan standart mobil DRAM yongaları ile kıyaslandığında 8 kat, en yeni LPDDR2 DRAM yongaları (3.2GB/saniye) kıyaslandığında ise 4 kat daha yüksek bant genişliği sunan yeni bellek çiplerinde, veri giriş-çıkışları için 512-pin (önceki nesillerde en yüksek 32 pin) kullanıldığı ve bu sayede yüksek bant genişliğine ulaşıldığı belirtiliyor.

Samsung'un Bellek Ürünleri Planlama ve Uygılama Mühendisliği'nden sorumlu kıdemli başkan yardımcısı Byungse So, "Geçtiğimiz yıl geliştirdiğimiz 4Gb LPDDR2 DRAM yongasını takiben, geniş I/O arabirimi ile gelen yeni mobil DRAM çözümümüz, yüksek performanslı mobil ürünlerin ilerleme ve geliştirmesine ciddi katkı sağlayacak." dedi.

Yüksek bant genişliğine sahip yeni DRAM yongalarının, akıllı telefon ve tabletler için ideal olduğunu belirten Samsung, 20nm üretim teknolojisiyle hazırlanan daha ileri çözümleri ise 2013'te sunacağını belirtiyor.