Samsung ve Toshiba daha hızlı NAND yongaları için işbirliğine gidiyor

Pek çok alanda birbirlerine rakip olan dünva devi elektronik üreticilerinden Samsung ve Toshiba, daha hızlı bellek üretimi için işbirliğine gidiyorlar. Yapılan açıklamaya göre iki dev, DDR NAND flash bellekleri hızlandırabilmek için ortak bir geliştirme programı yürütecekler. 133Mbps ara birimini destekleyen günümüzün DDR1 NAND belleklerinin, yeni nesil mobil cihazlar, tüketici elektroniği ürünleri ve depolama çözümleri için zamanla yetersiz kalacağını düşünen ikili, DDR2 NAND spesifikasyonunu baz alan bellek çipleri üzerinde çalışacak.

Yapılan açıklamada DDR standardının, konvensiyonel NAND ile kıyaslandığında özellikle asenkron tasarımlarda, daha hızlı ara birim avantajıyla yüksek hızda veri transferi sağladığına dikkat çekilirken, iki firmanın tüm eforunu müşterilere daha hızlı ve daha performanslı olan DDR2 NAND spesifikasyonunu standardize etmek için harcayacakları belirtildi. JEDEC SSD birliği ile yakın ilişki içerisinde olan Samsung ve Toshiba, daha hızlı DDR2 NAND yongalarını yakın dönemde yaygın bir şekilde kullanmayı planlıyorlar.