Micron ve Nanya, Bakır tabanlı 42nm fabrikasyon süreciyle üretime başlıyor

Bellek üreticileri Micron ve Nanya yeni nesil DRAM teknolojileri için yaptıkları iş birliğinin bir sonucu olarak, bakır tabanlı 42nm fabrikasyon sürecinin kullanıldığı, 2Gb DDR3 DRAM yongasını duyurdu. İki firmanın müşterek çalışmasıyla hazırlanan yeni yongada, Alüminyum yerine daha verimli ve sağlam olduğu belirtilen Bakır metalleme teknolojisi kullanılıyor. Yapılan açıklamalarda Bakır metalleme teknolojisinin, ileri işlem geometrisi ve gelişmiş ürün performansı açısından çok daha güvenilir ve maliyet odaklı bir yaklaşım olduğuna da dikkat çekiliyor.

42nm üretim teknolojisiyle hazırlanan 2Gb DDR3 DRAM yongası, 1.35v geriliminde görev yapıyor ve 1.5v olan JEDEC standardına göre daha az güç çekiyor dolayısıyla daha yüksek enerji verimliliği sağlayabiliyor. 1866MHz'e kadar ölçeklenebildiği belirtilen yeni yonga, kapasite yoğunluğu 16GB'a kadar olan bellek modüllerinde kullanılabilecek. Örneklendirmesine ikinci çeyrekte başlanacak yeni yonganın yılın ikinci yarısında üretime girmesi beklenirken, maliyetleri hakkında henüz net bir bilgi bulunmuyor.