Samsung endüstride ilk defa 30nm DDR3 yongası geliştirdi

Dünyanın en büyük yarıiletken üreticilerinden Samsung, endüstride ilk defa 30nm üretim teknolojisiyle geliştirdiği DDR3 bellek yongasını duyurdu. 40nm üretim teknolojisiyle hazırlanan DRAM yongalarına göre üretim verimliliği %60 arttırılan yeni yeni DRAM yongasının 2Gb yoğunluğunda olduğu ve üretim maliyetlerine yönelik verimliliğin 50nm ve 60nm çözümlere göre iki kat arttırıldığı belirtiliyor.

50nm DRAM yongalarıyla kıyaslandığında güç tüketiminin %30'a varan oranda düşürüldüğü belirtilen yeni DRAM yongasının taşınabilir cihazlardan netbook'lara hatta masaüstü bilgisayarlardan sunucu sistemlere kadar kategori bağımsız olarak geliştirilenecek tüm bellek modüllerinde kullanılabileceği belirtiliyor. Hacimli üretimi yılın ikinci yarısında başlayacak 30nm DRAM yongası için henüz herhangi bir maliyet bilgisi bulunmuyor.