Yarım daire tasarımında Twin BiCS FLASH bellek modülleri duyuruldu

Eski adıyla Toshiba Memory yeni adıyla Kioxia Corporation bu hafta SSD bellek modüllerinde yeni bir teknoloji geliştirdiğini duyurdu. Twin BiCS FLASH adındaki bu teknoloji yarım daire şeklinde bellek hücrelerini temel alıyor.

Twin BiCS FLASH neler sunacak?

3D NAND bellek çalışmalarında üreticiler genelde hücre başına bit miktarını ve katmanları arttırarak aynı zar alanında daha fazla kapasite tutan ancak daha da verimli olan modüller geliştiriyor. Ne var ki karmaşıklık arttıkça profillerin kontrolü, boyutun standartları ve verimlilik konusunda problemler yaşanmaya başlıyor.

Ayrıca Bkz.Scuf kontrolcü markası Corsair tarafından satın alındı

Twin BiCS FLASH teknolojisinde ise geleneksel elektrik tutma – CT hücrelerinin yerine yarım daire şeklinde yüzen kapı – FG hücrelerine yer veriliyor. Bu hücrelerde geçiş elektrotları ayrıldığı için hücre boyutları küçülebiliyor ve enerji sızıntıları en aza indiriliyor. Böylece daha küçük hücrelerde daha büyük yazma-silme penceresi ve yüksek bellek yoğunlukları elde edilebiliyor.

Kioxia yeni bellek teknolojisi sayesinde hücre başına 4 bit yani QLC modüllerinin ötesine geçilebileceğini düşünüyor. Yani yakın gelecekte 5 veya 6 bit verilerle daha yoğun kapasitelerin önü açılacak. Twin BiCS FLASH üzerindeki çalışmalar devam ediyor ve henüz ne zaman piyasaya sürüleceği bilinmiyor.